Kuvaus
SAMSUNG SSD 990 EVO 2TB M.2 NVMe PCIe
Samsung 990 EVO Solid State Drive -asema tarjoaa suuren kapasiteetin, nopeat tiedonsiirtonopeudet ja edistyneitä suojausominaisuuksia tehokkaaseen tallennusratkaisuun. 2 Tt:n kapasiteetin ja jopa 5000 MBps:n lukunopeuden ja 4200 MBps:n kirjoittamisen nopeuden ansiosta se parantaa tietokonekokemustasi. Asema käyttää PCI Express 5.0 x4 (NVMe) -liitäntää tehokkaaseen tiedonsiirtoon ja toimintaan. Tietoturva on etusijalla 256-bittisellä AES-laitteistosalauksella ja TCG Opal Encryption 2.0:lla, mikä varmistaa tietojesi suojan. Lisäksi Dynamic Thermal Guard -suoja auttaa estämään ylikuumenemisen ja ylläpitää suorituskykyä vaativissa tehtävissä. Sekä ammatti- että henkilökohtaiseen käyttöön soveltuva Samsung 990 EVO on rakennettu tukemaan tehokkaita laskentaympäristöjä.
Ominaisuudet:
- Parannettu kestävyys
Dynamic Thermal Guard -suojauksella varustettu Samsung 990 EVO varmistaa optimaalisen suorituskyvyn estämällä ylikuumenemisen, joten se on luotettava valinta intensiivisiin tehtäviin. - Nopea suorituskyky
Jopa 5 000 MBps:n sisäinen tiedonsiirtonopeus lukemista ja 4 200 MBps kirjoittamista varten sekä PCI Express 5.0 x4 (NVMe) -liitäntä ja tämä SSD-asema tarjoaa nopeat tiedonsiirtonopeudet, mikä parantaa tietokoneen käyttökokemusta. - Vankka suojaus
256-bittisellä AES-laitteistosalauksella ja TCG Opal Encryption 2.0:lla varustettu Samsung 990 EVO tarjoaa edistyneen tietoturvan, joka suojaa arkaluontoisia tietojasi luvattomalta käytöltä. - Tehokas toiminta
Automaattinen roskienkeräysalgoritmi ja laitteen lepotilatuki edistävät tehokasta virranhallintaa, vähentäen energiankulutusta ja säilyttäen samalla korkean suorituskyvyn. - Poikkeuksellinen kapasiteetti
Tämä 2 Tt:n kapasiteetin ja 2 Gt:n LPDDR4 DRAM-välimuistin ansiosta kiintolevy tarjoaa runsaasti tallennustilaa ja paremmat tiedonhakunopeudet, joten se sopii ihanteellisesti vaativiin sovelluksiin.
Tekniset tiedot:
| Tuotekuvaus | Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW – SSD – 2 Tt – PCI Express 5.0 x4 (NVMe) |
| Tyyppi | SSD-levy – sisäinen |
| Muistin koko | 2 Tt |
| Laitteistosalaus | Kyllä |
| Salausalgoritmi | AES 256 bittiä |
| NAND flash-muistityyppi | Triple-level cell (TLC) |
| Koko tai muoto | M.2 2280 |
| Liitäntä | PCI Express 5.0 x4 (NVMe) |
| Ominaisuudet | TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 Gt LPDDR4 DRAM-välimuistia, S.M.A.R.T. |
| Ulkomitat (PxSxK) | 22 mm x 80 mm x 2.38 mm |
| Paino | 9 g |
| Valmistajan takuu | 5 vuoden takuu |
Huom! Louhintatrendin vuoksi tarkistamme huoltoon toimitetut levyt. Mikäli Terabytes Written -arvo ylittää valmistajan suosituksen, emme vaihda levyä uuteen tai huolla sitä.
