Kuvaus
SAMSUNG SSD 990 EVO 1TB M.2 NVMe PCIe
Samsung 990 EVO Solid State Drive -asema yhdistää nopeuden, kapasiteetin ja turvallisuuden tarjoamaan luotettavan tallennusratkaisun. 1 TB:n kapasiteetilla se tarjoaa runsaasti tilaa kaikkiin tallennustarpeisiisi. Asemalla on vaikuttava lukunopeus jopa 5000 MBps ja kirjoitusnopeus jopa 4200 MBps, mikä varmistaa nopeat käynnistysajat ja nopean pääsyn tietoihisi. Siinä on PCI Express 4.0 x4- ja PCI Express 5.0 x2 -liitännät monipuolisia ja nopeita liitäntöjä varten. Turvallisuus on etusijalla, sillä 256-bittinen AES-laitteistosalaus ja TCG Opal Encryption 2.0 suojaavat arkaluontoisia tietojasi. Lisäksi Dynamic Thermal Guard -suoja estää ylikuumenemisen ja ylläpitää luotettavaa suorituskykyä. Olipa kyseessä työ tai vapaa-aika, Samsung 990 EVO on suunniteltu täyttämään suorituskykyisten tietokoneympäristöjen vaatimukset.
Ominaisuudet:
- Parannettu kestävyys
Dynamic Thermal Guard -suojauksella varustettu Samsung 990 EVO varmistaa optimaalisen suorituskyvyn estämällä ylikuumenemisen, joten se on luotettava valinta intensiivisiin tehtäviin. - Poikkeuksellinen nopeus
Tämä Solid State Drive -asema tarjoaa vaikuttavan sisäisen tiedonsiirtonopeuden, joka on jopa 5 000 MBps lukemista ja 4 200 MBps kirjoittamista, ja se tarjoaa nopeat käynnistysajat ja nopean pääsyn tietoihisi. - Edistynyt suojaus
256-bittisellä AES-laitteistosalauksella ja TCG Opal Encryption 2.0:lla Samsung 990 EVO tarjoaa luotettavan tietosuojan ja pitää arkaluontoiset tietosi turvassa luvattomalta käytöltä. - Suuren kapasiteetin tallennustila
Tämä 1 Tt:n kapasiteetin SSD-asema tarjoaa runsaasti tilaa tiedostoille, sovelluksille ja peleille, mikä varmistaa, että kaikki olennaiset esineet ovat käden ulottuvilla. - Tehokas virranhallinta
Automaattinen roskienkeräysalgoritmi ja Device Sleep -tuki vähentävät virrankulutusta ja pidentävät aseman ja kannettavan tietokoneen akun käyttöikää.
Tekniset tiedot:
| Tuotekuvaus | Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW – SSD – 1 Tt – PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Tyyppi | SSD-levy – sisäinen |
| Muistin koko | 1 Tt |
| Laitteistosalaus | Kyllä |
| Salausalgoritmi | AES 256 bittiä |
| NAND flash-muistityyppi | Triple-level cell (TLC) |
| Koko tai muoto | M.2 2280 |
| Liitäntä | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Ominaisuudet | TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep -tuki, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T. |
| Ulkomitat (PxSxK) | 22 mm x 80 mm x 2.38 mm |
| Paino | 9 g |
| Valmistajan takuu | 5 vuoden takuu |
Huom! Louhintatrendin vuoksi tarkistamme huoltoon toimitetut levyt. Mikäli Terabytes Written -arvo ylittää valmistajan suosituksen, emme vaihda levyä uuteen tai huolla sitä.
